IPI200N25N3GAKSA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPI200N25N3GAKSA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO262-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 64A, 10V |
Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7100 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 64A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPI200 |
IPI200N25N3GAKSA1 Einzelheiten PDF [English] | IPI200N25N3GAKSA1 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
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